Infineon und Panasonic vereinbaren Dual Sourcing für selbstsperrende 600-V-GaN-Leistungsbausteine

Die Infineon Technologies AG und die Panasonic Corporation haben eine Vereinbarung zur gemeinsamen Entwicklung von Galliumnitrid-(GaN)-Bausteinen unterzeichnet.

Diese basieren auf der selbstsperrenden GaN-auf-Silizium-Transistorstruktur von Panasonic, die in ein oberflächenmontierbares (SMD)-Gehäuse von Infineon integriert wird. In diesem Zusammenhang hat Panasonic eine Lizenz für die selbstsperrende GaN-Transistorstruktur an Infineon vergeben. Beiden Unternehmen können nun auf Grundlage der Vereinbarung hochleistungsfähige GaN-Bausteine herstellen. Kunden profitieren damit von zwei möglichen Lieferquellen für GaN-Leistungsschalter in einem kompatiblen Gehäuse: eine Möglichkeit, die es bislang für keinen anderen GaN-on-Silicon-Baustein gab. Die Partner haben sich darauf verständigt, keine weiteren Vertragsdetails zu veröffentlichen. Muster eines 600 V 70 mΩ-Bausteins in einem DSO-(Dual Small Outline)-Gehäuse werden die Unternehmen erstmalig auf der Applied Power Electronics Conference and Exposition(APEC) vorstellen, die vom 15. bis 19. März 2015 in Charlotte, North Carolina, USA, stattfindet.Bild Infineon und Panasonic vereinbaren Dual Sourcing klein

GaN-on-Silicon findet in der Fachwelt größte Beachtung als eine der nächsten Verbindungshalbleitertechnologien, die einerseits eine hohe Leistungsdichte und deshalb kleinere Montageflächen beispielsweise für Stromversorgungen und Adapter ermöglicht. Andererseits dient sie als wesentlicher Schlüssel zur Verbesserung der Energieeffizienz. Auf der GaN-on-Silicon-Technologie basierende Leistungshalbleiter können generell in einem breiten Anwendungsspektrum eingesetzt werden: von industriellen Hochvolt-Anwendungen wie Stromversorgungen in Serverfarmen (ein potenzielles Einsatzgebiet des ausgestellten 600-V-GaN-Bausteins) bis hin zu Niederspannungs-Applikationen wie die DC-DC-Umwand-lung in High-end Verbrauchsgütern. Einem Marktforschungsbericht von IHS zufolge wird der Markt für auf GaN-on-Silicon basierende Leistungshalbleiter voraussichtlich mit einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate von mehr als 50% ansteigen. Das Volumen, das 2014 laut IHS bei 15 Millionen USD lag, würde damit bis zum Jahre 2023 auf 800 Millionen USD zulegen.

“Es ist unser Anspruch, die Kunden von Infineon mit einem branchenführenden Produkt- und Technologie-Portfolio zu versorgen. Das schließt zuverlässige Leistungshalbleiter auf Galliumnitrid-Basis ein. Mit dem selbstsperrenden GaN-on-Silicon-Schalter in Verbindung mit dem dazugehörigen Treiber und einer optimierten Ansteuerschaltung können wir ihnen einen hohen Mehrwert liefern. Und unser Dual-Sourcing-Konzept hilft unseren Kunden zusätzlich dabei, Versorgungsketten zu managen und zu stabilisieren”, stellte Andreas Urschitz fest, Leiter des Geschäftsbereichs Power Management & Multimarket der Infineon Technologies AG.

“Panasonic konnte die selbstsperrende GaN-Leistungstechnologie, die sich durch eine einfache Konfiguration und leicht zu regelnde Dynamik auszeichnet, aufgrund der Erfahrung im Bereich der Verbindungshalbleiter entwickeln. Mit der Lizenzvergabe der selbstsperrenden GaN-Transistorstruktur an Infineon erwarten wir eine schnellere Verbreitung von GaN-Leistungshalbleitern. Mit der innovativen Weiterentwicklung unserer selbstsperrenden GaN-Technologie werden wir kontinuierlich zu Lösungen von verbraucherspezifischen Anforderungen beitragen”, sagte Toru Nishida, President of Panasonic Semiconductor Solutions Co. Ltd.

www.infineon.com
www.panasonic.com

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