Infineon: Enpower nutzt EDT2-Bauteile für Automotive-Anwendungen

Zhuhai ENPOWER Electric Co., Ltd. (ENPOWER), ein führender chinesischer Anbieter von Wechselrichtern für die Automobilindustrie , setzt als erstes Unternehmen die neuesten 750 V IGBTs für Automotive-Anwendungen (AIKQ120N75CP2 und AIKQ200N75CP2) der Infineon Technologies AG ein. Die diskreten IGBT-EDT2-Bauteile im TO-247PLUS-Gehäuse ermöglichen Leistungssteigerungen und Systemkosteneinsparungen in Hauptwechselrichteranwendungen und DC-Link-Entladeschaltern von Elektrofahrzeugen. Darüber hinaus bieten sie eine große Designfreiheit, um Ziele in der Systemintegration einfacher zu erreichen.

Die EDT2-Benchmark-Technologie wurde bereits sehr erfolgreich auf dem Markt eingeführt. Sie ist in einem TO247-Gehäuse erhältlich, das für diskret aufgebaute Traktionswechselrichter im Automotive-Bereich optimiert ist. Die neuen Produktvarianten mit 120 A und 200 A (bei 100°C) erweitern das Portfolio von Infineon an diskreten Hochspannungsbauteilen für Automotive-Anwendungen. Insbesondere im Hinblick auf Skalierbarkeit, Flexibilität und Systemkosten bieten Wechselrichter auf diskreter Basis Vorteile.

Darüber hinaus ermöglicht die 750 V EDT2-Technologie leistungsstarke Systemdesigns. Mit einem Nennstrom von 200 A ist der AIKQ200N75CP2 der klassenbeste diskrete IGBT in einem TO247Plus-Gehäuse. Auf diese Weise müssen für eine festgelegte Zielleistungsklasse weniger Bauteile parallel geschaltet werden. Gleichzeitig werden die Leistungsdichte erhöht und die Systemkosten gesenkt. Durch ihre hohe Qualität sind die IGBTs von Infineon wichtige Bausteine für zuverlässige Wechselrichtersysteme.